國產提速 華虹高功率車規級IGBT量產

　　[汽車之家 資訊]  近日，華虹半導體與斯達半導在“華虹半導體車規級IGBT暨12英寸IGBT規模量產儀式”上簽訂戰略合作協議，宣布雙方攜手打造的高功率車規級IGBT芯片已通過終端車企產品驗證，進入了動力單元等汽車應用市場。

　　華虹半導體已在12英寸生產線上成功建立了IGBT晶圓生產工藝，產品順利通過了客戶認證，成為全球首家同時在8英寸和12英寸生產線量產先進型溝槽柵電場截止型IGBT的純晶圓代工企業。目前，華虹半導體12英寸IGBT產出已超10000片晶圓。去年斯達半導生產的汽車級IGBT模塊合計配套超過20萬輛新能源汽車。

　　斯達半導一直致力于IGBT芯片設計和IGBT模塊的設計、制造及測試。斯達半導應用于燃油車微混系統的48V BSG功率組件在去年實現了大批量裝車應用，累計配套超過10萬輛節能燃油汽車。去年，斯達半導基于第六代Trench Field Stop技術的1200V IGBT芯片也成功在12寸產線上開發，并已開始批量生產，同年研發成功的車規級SGT MOSFET，預計今年開始批量供貨。

　　斯達半導未來將持續發力新能源汽車及燃油汽車半導體器件市場，在新能源汽車用驅動控制器領域為客戶提供全功率段的車規級IGBT模塊，并繼續加大SiC功率芯片的研發力度，盡快推出符合市場需求的自主的車規級SiC芯片，以完善輔助驅動和車用電源市場的產品布局。（信息來源/蓋世汽車；編譯/汽車之家 王靜波）

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